Samsung загрузила будущий завод в Техасе заказами AMD и NVIDIA, пишет Maeil
Ещё до начала стройки весь выпуск второго завода Samsung в Тейлоре заказан под скоростную память HBM для ИИ-ускорителей AMD и NVIDIA, и больше всего берёт AMD, пишет корейская Maeil.

Корейская газета Maeil Business Newspaper1 пишет, что Samsung получила заказы на весь выпуск второго завода в техасском Тейлоре. Официально строить его ещё не начали. Завод будет делать базовые кристаллы памяти HBM для AMD и NVIDIA, и большая часть заказанного объёма приходится на AMD. Samsung от комментариев отказалась.
Почему это важно: американскому производству Samsung долго не хватало клиентов. Первый завод в Тейлоре строился с задержками из-за нехватки заказов. Положение изменилось в июле 2025 года, когда Tesla подписала восьмилетний контракт на 16,5 млрд долларов на выпуск своих чипов AI6. Если Maeil права, второй завод получает работу ещё до начала стройки, причём от двух главных разработчиков ИИ-ускорителей.
Предыстория: 30 июля, отчитываясь за второй квартал, Samsung сама пообещала начать строить второй завод в Тейлоре до конца 2026 года, а производство на нём запустить в 2030-м. Что он будет выпускать, компания тогда не сказала. С AMD у Samsung уже есть договорённость о памяти: в марте они подписали меморандум, по которому Samsung станет основным поставщиком HBM4 для ускорителей AMD MI455X. Тогда же компании договорились обсудить производство чипов AMD на заводах Samsung.
Как это работает: HBM — стопка кристаллов оперативной памяти, которую ставят вплотную к вычислительному чипу ускорителя. Внизу стопки лежит базовый кристалл — логический чип, через который память обменивается данными с процессором. В поколении HBM4 такие кристаллы выпускают на заводах логических микросхем. Заказчики всё чаще просят делать их под себя — например, со своим контроллером памяти. SK Hynix заказывает их у TSMC, а Samsung делает сама: для HBM4 — по 4-нм техпроцессу2.
В цифрах: так Maeil со ссылкой на отраслевые источники описывает завод.
- Официально строить его начнут в ноябре.
- Чипы будут выпускать по 2-нм техпроцессу.
- Площадь — около 2,7 млн квадратных футов (примерно 250 тыс. кв. м), в полтора раза больше, чем у первого завода, где Samsung будет делать чипы для Tesla.
- Оборудование начнут ставить в феврале 2029 года, массовое производство намечено на 2030 год.
Детали: публикацию Maeil в тот же день, 3 ноября, пересказало Reuters. Сумма заказов неизвестна.
Но: в октябре другая корейская газета, Seoul Economic Daily3, писала, что NVIDIA хочет получать базовые кристаллы для своей заказной памяти NVHBM с заводов тайваньской TSMC, крупнейшего контрактного производителя чипов. В такой кристалл встроен контроллер памяти NVIDIA, и делать его, по данным газеты, всех трёх поставщиков — Samsung, SK Hynix и Micron — попросили по 3-нм техпроцессу TSMC. Samsung, как пишет газета, согласилась. Собственное производство компания оставляет для обычной HBM и для заказных версий других клиентов. Свой 2-нм техпроцесс она проверяет как запасной вариант на случай, если мощностей TSMC не хватит.